国资(j)掺杂不同添加剂的钙钛矿薄膜的N1s光电子能谱。

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此外，企业还通过XRD、SEM和密度泛函理论研究了反应机理。和突（h）HVO的氮吸附-解吸等温线。图二、出贡电化学性能研究（a）HVO电极在0.1mVs-1时的CV曲线。

献企（d）Zn2p的XPS高分辨率光谱。图五、国资充放电过程研究（a-c）在各种放电/充电状态下的第一个循环中，HVO阴极的XRD分析。

任期HVO的反应策略适用于未来的水溶液锌离子电池的设计。

结果表明，业绩优秀业名优异的倍率性能源于插层赝电容行为。企业(e,f)基于biuret/triuret混合添加剂制备的钙钛矿薄膜的上表面SEM和横截面SEM照片。

(c)MAPbI3钙钛矿晶体在biuret添加剂帮助下的生长示意图，和突(I)将biuret与钙钛矿前驱体混合，和突(II)前驱体与添加剂形成PbI2 -biuret-MAI络合物，(III)添加剂吸附在晶核周围，持续吸引游离单体(MAI,PbI2)加速晶体生长，(IV)形成大晶粒钙钛矿并在晶界处残留添加剂。出贡图3:器件结构与光电性能。

献企(器件结构分别为ITO/PTAA/(FAPbI3)0.85(MAPbBr3)0.15/PC61BM/Ag和ITO/NiO/CsPbI2Br/PC61BM/Ag。相反，国资triuret则更易于在钙钛矿表面聚集和吸附钙钛矿，形成树枝状钙钛矿中间层，这有利于电子从钙钛矿向电子传输层的传递和提升器件效率。